@misc{10481/33515,
year = {2014},
month = {10},
url = {http://hdl.handle.net/10481/33515},
abstract = {En este trabajo se va a desarrollar un modelo de potencial de superficie para
DGMOSFETs que tiene en cuenta los efectos cuánticos. Para ello se realizarán
simulaciones numéricas que servirán para comparar y validar las expresiones analíticas
desarrolladas, obteniendo los efectos cuánticos.},
organization = {Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de los Computadores. Máster Métodos y Técnicas Avanzadas en Física (MTAF)},
keywords = {Double gate MOSFET (DGMOSFET)},
keywords = {MOSFET},
keywords = {Transistores de efecto de campo de puerta aislada},
keywords = {Dispositivos multipuerta},
title = {Modelado analítico del potencial eléctrico y la carga en inversión en MOSFET de doble puerta nanométricos incluyendo efectos cuánticos},
doi = {10.30827/Digibug.33515},
author = {Urbano Mayorgas, Juan José},
}